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推荐三星取得具有栅极绝缘层的半导体器件专利，提供了具有栅极绝缘层的半导体器件

金融界2024年4月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“具有栅极绝缘层的半导体器件“，授权公告号CN110931552B，申请日期为2019年6月。专利摘 [更多]
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