快速导航

ldmos

相关内容

合肥晶合集成电路申请一种LDMOS器件的制备方法、LDMOS器件专利，提高了产品的良率

网易号
金融界 2025-02-13

上海川土微电子申请 CAN 总线中波形对称性优化专利，降低出现闭眼掉坑凹陷的概率

网易号
金融界 2025-02-13

芯恩（青岛）集成电路有限公司申请LDMOS器件及其制备方法专利，可提高器件的击穿电压

网易号
金融界 2025-01-31

芯恩集成电路申请 LDMOS 器件及其制备方法专利，可提高器件的击穿电压

网易号
金融界 2025-01-31

芯恩申请LDMOS器件及其制备方法专利，改善场板结构底部电荷迁移问题

网易号
金融界 2025-01-31

芯恩（青岛）集成电路申请 LDMOS 器件及其制备方法专利，可提高器件的击穿电压

网易号
金融界 2025-01-31

上海瞻芯电子申请碳化硅LDMOS结构专利，其器件具有高耐压、尺寸小等优点

网易号
金融界 2025-01-23

矽力杰申请LDMOS晶体管专利，可减小栅介质层长度

网易号
金融界 2024-12-25

矽力杰申请LDMOS晶体管专利，减小表面寄生晶体管基极电阻

网易号
金融界 2024-12-25

国产射频PA，走到哪了？

网易号
半导体行业观察 2024-12-21

荣芯半导体取得一种LDMOS器件及电子设备专利，提升器件性能

网易号
金融界 2024-12-20

华虹半导体（无锡）取得一种LDMOS器件的制备方法及器件专利

网易号
金融界 2024-12-18

北京智芯微电子取得分离式深栅LDMOS器件及制造方法、芯片专利

网易号
金融界 2024-12-18

江苏应能微电子取得ESD加固的LDMOS器件及其制备方法专利

网易号
金融界 2024-12-18

北京智芯取得抗电磁环境干扰高可靠LDMOS静电泄放器件、制备方法及芯片专利

网易号
金融界 2024-12-14

深圳天狼芯取得 LDMOS 器件及其制备方法、芯片专利

网易号
金融界 2024-12-07

杭州积海半导体取得 LDMOS 器件的形成方法专利

网易号
金融界 2024-11-25

氮化镓的未来：IDM还是Fabless

网易号
半导体产业纵横 2024-11-22

重庆安派芯成取得高镇流电阻的LDMOS器件、可控硅器件及电子设备专利

网易号
金融界 2024-11-16

应能微电子申请ESD加固的LDMOS器件及其制备方法专利，提高高压LDMOS及同类横向器件的抗ESD能力

网易号
金融界 2024-10-31

斯兰纳亚洲有限公司取得雪崩鲁棒性LDMOS专利

网易号
金融界 2024-10-31

浏阳泰科天润取得降低导通电阻的碳化硅LDMOS专利，降低导通电阻

网易号
金融界 2024-10-30

上海华虹宏力申请LDMOS的仿真模型及方法专利，提升仿真效率

网易号
金融界 2024-10-28

Ampleon BLS7G2729LS-350P S波段雷达功率晶体管

网易号
立维创展 2024-10-28

晶扬电子取得大规模阵列下 LDMOS 功率芯片封装结构专利

网易号
金融界 2024-10-26

浏阳泰科天润取得增强耐压能力的碳化硅双槽栅LDMOS专利，增强器件的耐压能力

网易号
金融界 2024-10-25

智芯微电子申请分离式深栅LDMOS器件及制造方法、芯片专利，降低导通电阻

网易号
金融界 2024-10-22

应能微电子申请自适应超结 LDMOS 结构专利，提升 LDMOS 器件性能

网易号
金融界 2024-10-18

晶合集成电路取得一种 LDMOS 器件及其制备方法专利

网易号
金融界 2024-09-30

苏州华太电子技术取得LDMOS器件及LDMOS器件的制备方法专利，解决传统LDMOS器件工作时沟道电位抬升问题

网易号
金融界 2024-09-19

南京典格通信取得一种兼容 LDMOS 和 GaN 功放的设计方法专利，实现 GaN 和 LDMOS 的兼容

网易号
金融界 2024-08-22

晶合集成申请一种 LDMOS 器件及其制备方法专利，可降低导通电阻

网易号
金融界 2024-08-14
没有更多内容了
热点新闻
© 1997-2025 网易公司版权所有 About NetEase | 公司简介 | 联系方法 | 招聘信息 | 客户服务 | 隐私政策 | 不良信息举报 Complaint Center | 廉正举报 | 侵权投诉
无障碍浏览 进入关怀版