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苏州华太申请GaN HEMT器件的相关专利，解决传统器件成本较高的问题

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金融界 2025-02-13

中微半导体申请用于GaN HEMT的相关专利，外延层表面缺陷可得到明显改善

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金融界 2025-02-13

650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装

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言观车市 2025-02-13

芯导科技(688230.SH)：公司650V GaN HEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品

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格隆汇 2025-02-10

标准征求意见！2项AlN抛光片测试方法+ UIS应力下GaN HEMT在线测试方法征求意见！

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新浪财经 2025-02-08

苏州华太申请GaN HEMT器件专利，提供新结构的GaN HEMT器件

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金融界 2025-01-31

深圳天狼芯半导体取得一种GaN-HEMT器件及其制备方法专利

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金融界 2025-01-29

厦门市三安集成电路申请HEMT晶体管及其制作方法、射频模组专利，提高氮化镓射频器件的耐压能力和功率等级

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金融界 2025-01-29

苏州华太申请一种 GaN HEMT 器件专利，解决传统器件接地工艺复杂的问题

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金融界 2025-01-29

北京中科重仪取得具有双沟道的增强型氮化镓 HEMT 器件及其制备方法专利

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金融界 2025-01-25

远山新材料科技申请基于PSJ-GaN结构的双沟道HEMT芯片及制造方法专利，能增加电子浓度

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金融界 2025-01-20

润新微电子取得一种GaN芯片及其制备方法、HEMT级联型器件及其封装方法专利

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金融界 2025-01-11

TCL环鑫申请一种p-GaN HEMT器件及制备方法专利，提高器件工作的稳定性和可靠性

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金融界 2024-12-21

意法半导体国际公司取得集成功率器件及HEMT晶体管专利，克服了已知方案中的器件所存在的性能方面的某些限制

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金融界 2024-12-16

郑州合晶硅申请具有应力释放层的GaN HEMT外延结构及制备方法专利，良好的释放应力

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金融界 2024-12-12

江西兆驰半导体取得高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法、HEMT 专利

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金融界 2024-12-11

润新微电子申请耗尽型 GaN 器件及 HEMT 级联型器件专利，能够有效钳制瞬态下的电压差

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金融界 2024-12-10

远山新材料申请双沟道多栅高耐压GaN HEMT器件及制造方法专利，实现器件高耐压

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金融界 2024-12-10

意法半导体国际公司申请具有减小的栅极振荡的HEMT功率器件及其制造方法专利，减小栅极振荡

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金融界 2024-12-05

江苏镓宏取得增强型GaN HEMT器件制备方法及其结构专利

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金融界 2024-11-30

港祥辉电子取得一种凹槽型 GaN MIS-HEMT 纵向器件专利

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金融界 2024-11-27

成都华大九天取得一种基于ASM模型的GaN HEMT的参数提取方法专利

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金融界 2024-11-27

江西兆驰半导体取得HEMT外延片及其制备方法专利

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金融界 2024-11-25

氮化镓的未来：IDM还是Fabless

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半导体产业纵横 2024-11-22

中镓半导体申请 GaN 单晶衬底的 HEMT 外延结构和外延方法专利，调控外延生长获得更优异结构

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金融界 2024-11-22

徐州立羽取得一种常关型 Emode HEMT 器件及制备方法专利

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金融界 2024-11-06

江苏布里其曼取得一种氮化镓HEMT器件的制造加工设备及制造方法专利

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金融界 2024-11-01

苏州英嘉通半导体取得倾斜场板的制造方法、HEMT器件及其制造方法专利

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金融界 2024-10-31

湖南三安半导体申请 GaN-HEMT 器件及其制备方法专利，降低栅极漏电的风险

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金融界 2024-10-22

深圳市港祥辉电子申请凹槽型GaN MIS-HEMT纵向器件专利，显著提高栅极的绝缘性能，减少漏电流

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金融界 2024-10-22

欧益睿芯取得增强型GaAs HEMT器件及其制造方法、电子设备专利

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金融界 2024-09-30

合肥欧益睿芯取得 GaAs HEMT 器件及其制造方法、电子设备专利

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金融界 2024-09-30

欧益睿芯取得 E/D 集成的 GaAs HEMT 器件及其制造相关专利

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金融界 2024-09-30

瑶芯微电子科技取得基于栅极场板和双源极场板的HEMT器件及其制备方法专利，制备出创新的HEMT器件

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金融界 2024-08-30

瑶芯微电子科技取得基于栅极场板和源极场板的双异质结HEMT器件及其制备方法专利，能实现创新的器件制备

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金融界 2024-08-20

世强硬创获誉鸿锦授权代理HEMT/UVC-LED/RF PA等产品

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世强硬创平台 2024-08-02

佳恩科技申请“一种单片集成逆导型GaN-HEMT功率器件的结构调整方法、介质及系统”专利，优化GaN-HEMT功率器件的散热

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金融界 2024-07-30

芯导科技申请双向GaNHEMT器件与双向GaNHEMT器件的制备方法专利，提高了双向GaN HEMT器件的耐压能力

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金融界 2024-07-02
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